LN1F26 LN1F28 LN9T36 LN9T39力生美半导体全新的TSIP7 高功率封装形式

时间：2018-01-04 来源：本站点击：10892次

[摘要] 力生美半导体全新的 TSIP7 高功率封装形式已设计验证完成，并将于近日开始向市场推出使用该封装形式的产品，该封装形式相对于传统的 DIP8 封装占板宽度降低原来的一半（宽度仅 4.5mm），内置 MOSFET 规格最多可增大至 2.5 倍（ID 达 12A）；相对于传统的 TO220 封装板上高度降低超过一半（高度仅 9.3mm）；PD 容量高达 2.2W 以上，可实现理论最高系统功率高达 65W 的 PWM 功率应用。

力生美半导体全新的 TSIP7 高功率封装形式已设计验证完成，并将于近日开始向市场推出使用该封装形式的产品，该封装形式相对于传统的 DIP8 封装占板宽度降低原来的一半（宽度仅 4.5mm），内置 MOSFET 规格最多可增大至 2.5 倍（ID 达 12A）；相对于传统的 TO220 封装板上高度降低超过一半（高度仅 9.3mm）；PD 容量高达 2.2W 以上，可实现理论最高系统功率高达 65W 的 PWM 功率应用。

力生美半导体已陆续开始提供 TSIP7 的内置大功率 MOSFET 的 PSR 和 SSR PWM 功率开关产品，包括内置 10A MOS 的 PSR 产品 LN1F28，内置 7A MOS 的 PSR 产品 LN1F26，内置 10A MOS 的 SSR 产品 LN9T39，内置 7A MOS 的 SSR 产品 LN9T36，该系列产品将大幅提高力生美 PWM 功率开关产品可提供的功率输出容量，最高系统输出功率有望超过 50W。

LN1F26 LN1F28 LN9T36 LN9T39

显著降低的封装高度和减小的占板宽度使得上述 TSIP7 产品非常适合应用于对体积要求极为严酷的充电器等产品应用，例如时尚小巧的 Type-C PD 快充电源等。

30W USB Type-C PD 充电器

即日起将开始对外提供上述 TSIP7 的样品，请联络相关业务人员申请。

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