A31G123/A31G122 Cortex-M0+™ 40MHz 64KB/32KB Flash ABOV单片机

A31G123/A31G122 Cortex-M0+™ 40MHz 64KB/32KB Flash ABOV单片机

A31G123ML
A31G123MM
A31G123RL
A31G123RM
A31G123CLN
A31G123SQ
A31G122ML
A31G122MM
A31G122RL
A31G122RM

基于ABOV单片机A31G123CLN 的独立式烟感应用方案

A31G123 A31G122 通用Cortex M0+ 微型控制器 FlashROM 64/32KB SRAM 6KB

A31G12x
系列是基于 ARM Cortex M0+ 内核的微控制器 高达 64KB Flash 存储器 6KB SRAM 控
制器的工作电压为 1.8V 至 5.5V 它为许多嵌入式控制应用提供了高灵活性和低成本的解决方案 。 A31G1 2 x
系列具有 16 位定时器 32 位定时器 6 通道 PWM 的 16 位定时 器 12 位 ADC CRC 产生器 UART USAR
T I2C LCD 驱动 器 控制 器 等 等 。 A31G12x 系列支持睡眠和深度睡眠模式 以降低功耗 。

1.2 产品特性
A31G12
x 系列产品特性如下
 高性能低功耗 Cortex M0+ 内核
 64/32 K B Flash 程序空间
 6KB SRAM
 LED 显示驱动能力
 8 引脚 (PD0 〜 PD 7 输出电流 Max. IOL=120mA
 50k sps A D 转换器
 1 4 通道输入
 看门狗定时器
 10 路通用定时器
 周期 单脉冲 PWM 捕捉模式
 外部通讯端 口：
 4 U S ARTs (UART +
 3 I 2 C s
 2UARTs
 内置时钟监控系统故障保护功能
 LCD 驱动
 39 S eg 和 8 C om
 占空比可选 电阻偏置 16 阶 对比度 控制
 16 位 CRC 生成器
 CRC CCITT
 CRC 16
 SWD 调试接口
 支持 USART (UART 和 SPI) ISP
 6 种封装类型
 LQFP80 1212 (0.5mm pitch)
 LQFP80 1414 (0.65mm pitch)
 LQFP64 1010 (0.5mm pitch)
 LQFP64 1212 (0.65mm pitch)
 LQFP48 0707 (0.5mm pitch)
 MQFP44 1010 (0.8mm pitch)
 工作温度
 商 业级 40 ~ 85
 工 业级 40 ~ 105 

Leven Cai 蔡明柱
MOB : 13751188660
深圳市奥伟斯科技有限公司
OWEIS ELECTRONICS Co., LIMITED.
址址:深圳市福田区深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼701-703室
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